经常接触电离辐射会增加脑膜瘤的风险。到目前为止，科研人员还没有找到脑膜瘤的确切病因。研究表明，脑膜瘤可能是多种综合因素，导致蛛网膜细胞基因变异，或所处内环境发生变化，导致蛛网膜细胞异常增生所致。

它的诱发因素较多，其中最主要的诱发因素为电离辐射。多项研究表明，电离辐射会增加患脑膜瘤的风险，如日本的广岛和長琦原子弹幸存者，患脑膜瘤的风险大大增加。另外，一些进行头部放射治疗及放射检查的患者，根据调查，患脑膜瘤的风险也可能大大增加。

因此，要尽可能的减少接触电离辐射。